在新能源并网、高压配电、算力基建、轨道交通、海上风电、柔性直流输电等产业高速发展的当下，高压大功率电力电子设备对功率器件的耐压、载流、损耗、可靠性提出了严苛要求。传统硅基器件与常规中低压碳化硅产品，已难以匹配高压大容量设备的迭代需求。东莞市华晔电子科技有限公司深度联合上游芯片企业，推出两款高压碳化硅 (SiC) MOSFET 新品：HB1S015R331HM (3300V 大功率模块) 与 HBQ1KN130HV (10kV 超高压裸芯片)。两款产品依托先进平面高密度 + 沟槽型 SiC 工艺，搭建 3.3kV~10kV 全电压等级、全功率段器件矩阵，覆盖工程化装机、前沿科研、中压变流、特高压输电等多类应用场景，为电力电子行业提供高可靠、高性价比的核心器件解决方案。

一、两大新品核心亮点与关键参数

(一) HB1S015R331HM | 3300V N 沟道 SiC 功率 MOSFET 模块

HB1S015R33IHM 初版.pdf

该产品定位中高压大功率主力模块，适配高压变压器、输配电设备、脉冲电源，覆盖 20A-200A 主流焊接模块应用场景。

硬件参数：额定漏源电压 3300V，直流连续漏极电流 1200A，脉冲电流可达 2400A；典型导通电阻仅 1.5mΩ，栅极阈值电压 2.9V，综合损耗控制在较低水平。

核心优势：采用 AlN 氮化铝基板，热阻低，散热表现良好；结温耐受 150℃，支持 3.0kV AC 1 分钟绝缘耐压，工况适配性强；动态稳定性与短路耐受能力表现良好，栅极电荷 Qg、反向传输电容 Crss 参数表现良好，开关速度快、开关损耗大幅降低；内置体二极管，正向特性稳定，简化外围电路设计。

工艺品质：工业级设计，抗干扰、耐浪涌，可长期运行在复杂高压工况，量产稳定性强，兼容行业标准焊接模块封装，替换传统器件无需改动结构，落地效率高。

(二) HBQ1KN130HV | 10kV N 沟道超高压 SiC MOSFET

HBQ1KN130HV V1.0 初版.pdf

10kV 高压器件适配特高压、超大功率前沿场景与高端装备，可用于高压固态变压器、柔性直流输电、大型换流阀、核电配套、AIDC 超算中心等设备。

硬件参数：击穿电压 ≥10000V，典型导通电阻 130mΩ (@20A)；额定耐压下漏电流低至 50nA，低低温环境下漏电流控制稳定，静态损耗近乎忽略；栅极电压范围 -10V~+25V，驱动兼容性强。

核心优势：单芯片实现 10kV 超高耐压，相较于 3300V/6500V 器件，可大幅减少系统串并联数量。以 500kV/3000MW 换流阀为例，10kV 器件用量相比 3300V 器件减少超 60%，简化拓扑结构、提升系统整体可靠性；宽温域工况下运行稳定，-55℃~175℃ 区间导通电阻增幅可控；输入电容、反向传输电容参数表现良好，高频特性突出，支持 10~16kHz 高频运行，助力设备小型化、轻量化。

灵活供货，也可二次封装为焊接 / 压接式功率模块，适配 200A-1000A 大电流场景，搭配高压驱动模块可实现系统级最优匹配。

二、全场景落地应用，覆盖电力电子全产业链

两款新品电压等级梯度互补，匹配当下及未来高压电力市场主流需求，核心应用场景如下：

1. 固态变压器 (SST) & 高压直流配电网

3300V、6500V、10kV 电压等级器件可解决传统器件电压不足、频率低、成本高的痛点，支撑 6kV、10kV、15kV 及以上、5MW+ 大容量 SST 规模化落地，应用于 10kV~35kV 高压直流配电网，设备整体效率可达 98.5% 以上，同时缩小设备体积与占地面积。

2. AIDC 人工智能数据中心 & 高压 UPS 系统

适配 800V HVDC 高压直流架构，承担电网 10kV 交流电至服务器直流母线的能量转换工作。依托 SiC 低损耗特性，配电损耗降至传统架构的 1/16，功率密度翻倍，单机柜功率密度可突破 600kW。系统能效从传统 95% 提升至 98% 以上，体积缩小 60%，占地面积减少 40%，完美适配高密度 GPU 算力集群运行，优化数据中心 PUE 指标（目标≤1.25），同时适配中高压不间断电源系统。

3. 海上风电 & 陆上风电

针对 16~20MW 大容量海上风机，高压 SiC 器件减少器件串并联结构，凭借 10~16kHz 的高频特性缩小磁性与滤波元件体积，设备轻量化更适配海上安装与运维；同时可用于陆上风电变流器、风机辅助电源，提升整机效率与稳定性。

4. 轨道交通配电系统

应用于城轨 / 高铁牵引变流器、辅助变流器、车载 DCDC 电源等设备，同等工况下器件开关损耗较硅基 IGBT 降低 5 倍以上，牵引系统能耗减少 20%；高频设计降低设备噪声，整机体积、重量缩减 40%，适配 1500V 直流牵引新制式。

5. 柔性直流输电工程

面向 ±160kV~±800kV 特高压柔直线路、大型换流阀，10kV 超高压芯片可显著减少器件与辅助装备数量。以 500kV/3000MW 换流阀为例，采用 10kV 器件仅需约 2500 只，较 3300V 器件（约 8000 只）大幅减少，满足工程对大电流、短路耐受、运行可靠性的严苛要求；3300V 模块可作为配套功率单元，搭建完整输电解决方案。

6. 光储充一体化电站

用于储能变流器 PCS、光伏逆变器、大功率充电桩，基于软开关技术、液冷储能全 SiC 设计的 PCS 系统峰值效率能达 99%。有效平抑电网峰谷差，提升清洁能源利用率，适配分布式新能源综合利用场景。

三、华晔电子合作优势

东莞市华晔电子科技深耕半导体器件领域，依托多年行业积淀，联合上游芯片厂商实现芯片直供 + 技术支持 + 方案配套一站式服务。